国产美女亚洲精品久久久99,精品日韩一区二区三区,中文有码无码人妻在线短视频

當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 硅基芯片 > 芯片

產(chǎn)品分類

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

相關(guān)文章

ZGSOI 納秒光開關(guān)芯片陣列

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2180

SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
了解詳情
ZG9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2385

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2287

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2211

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2168

單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZGSOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2093

SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2323

硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZGSOI納秒光開關(guān)芯片陣列

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2463

SOI納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
了解詳情

共 26 條記錄，當(dāng)前 1 / 4 頁(yè) 首頁(yè) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 末頁(yè) 跳轉(zhuǎn)到第頁(yè)